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博世創投投資基本半導體,加碼SiC賽道

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時間:1900/1/1 0:00:00

3月9日,博世旗下博世創投宣布完成對基礎半導體的投資。基礎半導體是深圳的碳化硅功率器件供應商。博世此舉旨在進一步豐富其在第三代半導體領域的布局。

目前,隨著新能源汽車的快速發展,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)為代表的第三代半導體也得到了推廣。因為與砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等第二代半導體相比,第三代半導體具有高頻、高效、大功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能,更能滿足新能源汽車的發展需求。特別是碳化硅,作為制造MOSFET、IGBT、SBD等高壓大功率電力電子器件的主要材料,廣泛應用于新能源汽車領域。

據相關預測數據顯示,到2025年,新能源汽車和充電樁領域的碳化硅市場規模將達到17.78億美元,約占整個碳化硅市場的70%。言下之意,新能源汽車產業將是碳化硅市場最大的驅動力。

Beijing is superior

博世碳化硅微芯片,圖片來源:博世

正因為如此,很多企業都在積極布局碳化硅領域。其中,博世早在2019年就開始測試碳化硅芯片的開發。2020年北京車展,博世碳化硅功率器件全球首次亮相。該產品可以幫助電動汽車和混合動力汽車增加約6%的續航里程,并大幅降低能耗。

在Bosch看來,碳化硅一定是未來的大方向,因為與傳統硅基材料相比,碳化硅功率器件可以實現更高的開關頻率,同時保持更低的能量損耗和更小的芯片面積,具有更好的節能效果。為此,博世近兩年一直在加大相關技術領域的投資,并已開始在德國的兩家芯片工廠生產碳化硅芯片,以取代IGBT。

此次投資基礎半導體,無疑是博世加強碳化硅布局的又一重要舉措。基礎半導體作為我國第三代半導體產業的重要參與者之一,主要從事碳化硅功率器件的研發和產業化,涵蓋材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等碳化硅功率器件全產業鏈。,并先后推出了全電流電壓級碳化硅肖特基二極管、通過工業可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車輛規級全碳化硅功率模塊等系列產品。

Beijing is superior

基礎半導體研發的車用級碳化硅功率模塊,圖片來源:基礎半導體。

其中,車規全碳化硅功率模塊是專門為新能源汽車電機控制器開發的。配備八片碳化硅MOSFET芯片,具有高功率密度、高可靠性、低內部寄生電感、低熱阻的性能優勢。該產品將于2021年量產。

隨著產品的重大突破,基礎半導體于今年2月在日本名古屋正式注冊成立,以利用日本在半導體、汽車等行業的人才和技術優勢,加快汽車級碳化硅功率模塊產品的研發和產業化,同時為全球布局而努力。3月9日,博世旗下博世創投宣布完成對基礎半導體的投資。基礎半導體是深圳的碳化硅功率器件供應商。博世此舉旨在進一步豐富其在第三代半導體領域的布局。

目前,隨著新能源汽車的快速發展,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)為代表的第三代半導體也得到了推廣。因為與第二代相比……第三代半導體砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等iconductors,具有高頻、高效、大功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能,更能滿足新能源汽車的發展需求。特別是碳化硅,作為制造MOSFET、IGBT、SBD等高壓大功率電力電子器件的主要材料,廣泛應用于新能源汽車領域。

據相關預測數據顯示,到2025年,新能源汽車和充電樁領域的碳化硅市場規模將達到17.78億美元,約占整個碳化硅市場的70%。言下之意,新能源汽車產業將是碳化硅市場最大的驅動力。

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博世碳化硅微芯片,圖片來源:博世

正因為如此,很多企業都在積極布局碳化硅領域。其中,博世早在2019年就開始測試碳化硅芯片的開發。2020年北京車展,博世碳化硅功率器件全球首次亮相。該產品可以幫助電動汽車和混合動力汽車增加約6%的續航里程,并大幅降低能耗。

在Bosch看來,碳化硅一定是未來的大方向,因為與傳統硅基材料相比,碳化硅功率器件可以實現更高的開關頻率,同時保持更低的能量損耗和更小的芯片面積,具有更好的節能效果。為此,博世近兩年一直在加大相關技術領域的投資,并已開始在德國的兩家芯片工廠生產碳化硅芯片,以取代IGBT。

此次投資基礎半導體,無疑是博世加強碳化硅布局的又一重要舉措。基礎半導體作為我國第三代半導體產業的重要參與者之一,主要從事碳化硅功率器件的研發和產業化,涵蓋材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等碳化硅功率器件全產業鏈。,并先后推出了全電流電壓級碳化硅肖特基二極管、通過工業可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車輛規級全碳化硅功率模塊等系列產品。

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基礎半導體研發的車用級碳化硅功率模塊,圖片來源:基礎半導體。

其中,車規全碳化硅功率模塊是專門為新能源汽車電機控制器開發的。配備八片碳化硅MOSFET芯片,具有高功率密度、高可靠性、低內部寄生電感、低熱阻的性能優勢。該產品將于2021年量產。

隨著產品的重大突破,基礎半導體于今年2月在日本名古屋正式注冊成立,以利用日本在半導體、汽車等行業的人才和技術優勢,加快汽車級碳化硅功率模塊產品的研發和產業化,同時為全球布局而努力。

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