估值100億 比亞迪芯片到底什么水平？

比亞迪半導體有限公司（BYD Semiconductor Co.，Ltd.）最近的財務狀況一直不錯。繼5月26日融資19億元后，6月15日又獲得8億元融資。一個月內融資兩次，估值102億元，明確將適時獨立上市。王傳福曾經說過， “事實上，如果我當時沒有制造汽車，我們就會制造半導體。看來有了芯片，比亞迪真的會陷入困境。芯片是中國先進制造業的一大隱痛。在中國芯片行業整體疲軟的背景下，汽車制造商生產的芯片能有多優秀？無論技術是否有效，專利都有最大的發言權。”。因此，我們整理了比亞迪申請的所有IGBT芯片專利，分析結果如下--

IGBT是絕緣柵雙極結晶體管的學名，通常被稱為電力電子設備的“CPU”。IGBT是能量轉換和傳輸的核心器件，與動力電池一樣，也是新能源汽車的核心技術。IGBT芯片的設計和制造過程非常困難，中國IGBT產業長期處于停滯狀態。中高端IGBT產能嚴重不足，幾乎全部依賴英飛凌等國際巨頭。隨著產業規模的擴大，中國新能源汽車急需一款強大的IGBT“中國芯片”。

比亞迪申請了多少專利？2007年，比亞迪提交了第一份IGBT專利申請。截至2020年5月8日，比亞迪在Dewant世界專利數據庫中披露的IGBT專利家族共有130個，其中專利記錄231項。這就是比亞迪IGBT芯片目前的全部技術專長，其中75%的專利位于。

那么，國際社會231項授權專利的水平是多少？富士電機、三菱電機和英飛凌擁有最多的IGBT專利，但它們都起步較早。在20世紀80年代，富士電機和三菱電機就已經進行了IGBT技術的研發。目前，兩家公司分別擁有1733個和1056個專利家族；盡管英飛凌在1994年才申請了其首個IGBT專利，但申請數量增長迅速，近年來排名第一，已成為汽車級IGBT芯片的領導者。

比亞迪IGBT的發展比日本晚了20多年！

我的基礎很弱，只能跑得很快。我在哪里趕上的？比亞迪的技術流程處于什么水平？比亞迪于2005年成立IGBT團隊，并于2008年收購了因資不抵債而被宣布破產的寧波中微集成電路。這筆交易之后，比亞迪開始了自己的IGBT芯片研發。2015年，比亞迪的IGBT工藝克服了非直通技術工藝，并于2018年推出了汽車級IGBT 4.0技術。該技術在非貫通型的頂部增加了復合場終止層，并進一步減小了芯片厚度。在2018年9月發布的一項專利中，比亞迪提出了一種深槽格柵的技術解決方案；

在2019年3月和4月發布的兩項專利中，提出了現場終端層的技術解決方案。

芯片，每個人都喜歡談論哪一代技術，代數水平越高，水平就越高。芯片技術水平的代數劃分沒有固定的標準。通過與廣泛采用的一代標準進行比較，可以發現比亞迪IGBT芯片整體仍處于第四代，在過去兩年中，它們一直在嘗試在第五代甚至第六代技術上取得突破。在國際上，2018年，IGBT芯片已進入“微槽柵極+場截止”的第七代技術，三菱電機、富士電機和英飛凌推出了產品。比亞迪的技術迭代仍處于追趕和追趕的狀態。

比亞迪專注于發展什么？我們使用了兩種方法來研究比亞迪IGBT的關鍵重點領域。第一種類型是由Dewant進行的簡單明了的專利索引手動代碼排序。Dewant的手動代碼排序顯示，除了關鍵的MOS柵雙極管外，無機材料的沉積、柵電極、電極和互連層的加工、半導體熱處理、散熱、硅基材料、電動汽車電子控制系統，等等也是比亞迪IGBT專利布局相對集中的技術領域。

第二種方法是專利文本挖掘。借助incoPart專利數據平臺，我們對比亞迪的IGBT專利數據進行了文本聚類，繪制了關鍵技術研發專利的地形圖。圖中深色輪廓線代表比亞迪專利技術研發密集區。從這張專利圖中，如果你是一個技術硬核，你可以理解比亞迪的IGBT專利專注于：IGBT結構、散熱、IGBT芯片、IGBT模塊、覆銅陶瓷基板、電子控制技術等。模塊開發實際上是比亞迪在2010年之前的一個重點，目前仍屬于相對較低的水平。比亞迪在過去三年里做了什么？

在過去的三年里，比亞迪最關注的是基板制造、IGBT芯片封裝、散熱等技術話題。此外，該公司還關注IGBT芯片制造工藝、加工設備、過程控制和電子控制系統。在IGBT制造工藝方面，目前的研究重點是光刻、溝道絕緣層、擴散金屬摻雜等。此外，比亞迪投資布局了第三代半導體材料SiC，愿景是到2023年用SiC基半導體完全取代硅基半導體。

比亞迪擁有哪些核心專利？專利實力可以證明專利的重要性。知識提示：專利強度是Innography提出的一個核心專利評估指標。我們綜合了10多個影響專利價值的變量，包括專利權利要求的數量、以前的技術文獻引用的數量、專利引用的次數、專利家族的規模、專利申請的持續時間、專利年齡和專利訴訟情況。專利強度值的范圍為0-100，專利強度值越高，專利越重要。對比亞迪所有專利家族進行強度分析，發現有10個專利家族的專利強度超過60。沒錯，這些都是比亞迪的核心IGBT技術專利，也是比亞迪“不可觸碰”的專利樞紐。這些專利的保護內容涉及過電流保護、過溫保護、電子控制系統和故障檢測、IGBT制造工藝等。我們深思熟慮地提供了這十項專利的公開號。通過出版物編號，您可以找到用于研究的專利說明書的全文。我們只能在這里幫助你。

它在國際舞臺上處于什么水平？說了這么多，比亞迪IGBT芯片究竟處于什么水平？作為一名“后進生”，與在IGBT領域深耕多年的國際巨頭相比，比亞迪還需要專注哪些任務？首先，直接轉到上一張圖片-……

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比亞迪位于第三象限，與意大利半導體和半導體大致處于同等競爭地位。在技術競爭力和運營實力方面，與英飛凌等領先企業相比存在顯著差距。英飛凌、日立、電裝位于I象限，整體實力最強；富士和三菱電機處于第四象限，技術競爭力較強，但業務實力略弱；瑞薩電子處于第二象限，表明其業務實力強勁，技術實力略落后。技術差距在哪里？通過使用Dewant的手冊代碼分析比亞迪、英飛凌、日立、電氣設備、富士和三菱電機的IGBT專利技術布局，可以看出其他五家公司的專利布局更為全面；第二是MOS柵極雙極管、雙極管和二極管、雙極晶體管制造、基板上金屬氧化物等無機材料的沉積、雙極晶體管和柵電極，這是六家公司共同關注的技術領域。

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值得注意的是，英飛凌在沉積金屬氧化物和柵電極領域的專利數量已經超過了制造業，這表明英飛凌的柵極處理技術布局較大，在五大領域中最為領先。此外，比亞迪在絕緣柵場效應晶體管領域的研發布局目前相對較弱。MOSFET是低功率半導體，不能在高電壓和高電流下工作，這符合比亞迪專注于開發汽車級IGBT芯片的戰略。從2005年成立團隊開始，比亞迪已經在芯片方面工作了15年。目前，比亞迪在國內汽車IGBT領域已經取得了一定的話語權，并初步形成了涉及材料、散熱、工藝技術、電路保護、電子控制系統等方面的專利布局體系。然而，與英飛凌、富士電機、三菱電機等領先的IGBT巨頭相比，比亞迪還有很長的路要走，研發的深度和廣度還有待進一步提高。

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盡管比亞迪的IGBT芯片已經進入第5代和第6代技術進程，但在第4代仍在量產。三菱電機于2009年推出了第6代產品，而富士電機自2015年以來一直在提供第7代產品的樣品。2018年，英飛凌、富士電機和三菱電機都大規模生產了第7代產品。2018年底，比亞迪宣布可以將晶圓厚度降至120μm。英飛凌的IGBT芯片已經可以降至最低40μm。就商業化而言，比亞迪半導體在全球IGBT市場的市場份額不到2%。即使在國內市場，比亞迪的汽車IGBT市場份額也只有20%左右，外國企業仍然占據著最大的蛋糕。例如，英飛凌在2019年向中國新能源汽車市場供應了63萬套IGBT模塊，市場份額為58%。因此，IGBT已經“國產化”了電力，比亞迪正在“國產化“IGBT。接下來的問題是，比亞迪能否在多渠道資本的支持下迅速搶占“英飛凌”的蛋糕。

標簽：比亞迪三菱發現世紀

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