憑借長期獨特的愿景、多年的功率器件設計經驗以及集團的汽車應用平臺資源，比亞迪半導體已進軍SiC功率器件的研發領域，成為中國首批自主研發和量產SiC器件的半導體公司之一。在SiC器件領域，比亞迪半導體已經實現了SiC模塊在新能源汽車高端電機驅動控制器中的大規模應用。其自主研發制造的高性能碳化硅功率模塊是世界上第一個也是中國唯一一個在電機驅動控制器中實現大規模安裝的SiC三相全橋模塊。那么，這個“小”模塊有什么獨特之處呢？其領先的技術優勢是如何提煉出來的？讓我們一起揭開它的“神秘面紗”
比亞迪半導體碳化硅模塊是一種三相全橋拓撲封裝全碳化硅功率模塊，主要用于新能源汽車電機驅動控制器。1） 采用納米銀燒結工藝取代傳統軟釬焊工藝，提高了高溫可靠性，充分利用了SiC的高工作結溫性能。與傳統焊接產品相比，可靠性壽命提高了5倍以上，連接層熱阻降低了95%；納米銀燒結工藝的燒結體具有優異的導電性、導熱性、高粘合強度和高穩定性。通過該工藝燒結的模塊可以在高溫條件下長時間工作。納米銀燒結工藝在芯片燒結層中形成可靠的機械和電氣連接，降低了半導體模塊的熱阻和內阻，提高了模塊的整體性能和可靠性。燒結材料為純銀材料，不含鉛，屬于環保材料
將納米銀燒結與傳統的焊料燒結進行比較。2） SiC芯片的正面互連采用了先進的Cu夾焊工藝，提高了SiC模塊的過電流容量，增強了散熱性能，降低了芯片的溫升；3） 超聲波焊接工藝用于將絕緣基板的金屬塊與外部電極連接，降低模塊的雜散電感，增強過電流和散熱能力；
超聲波焊接圖4）氮化硅AMB陶瓷覆銅基板，顯著降低了熱阻，良好的散熱提高了芯片的使用壽命；此外，比亞迪半導體SiC模塊可以滿足20KHz以上的使用頻率，讓車主可以想象無聲駕駛。SiC功率模塊的高亮頻率顯示并不難找到。其超低的開關和導通損耗、超高的工作結溫度等特性對實現系統的高效率和高頻起到了決定性作用。SiC功率模塊不僅提高了電子控制效率和耐用性，而且使功率密度翻了一番，輸出功率超過250KW。在相同的功率水平下，與IGBT相比，模塊體積減少了一半以上。碳化硅動力模塊于2020年與比亞迪明星車型“漢EV”一起推出，使電動驅動系統能夠最大限度地提高功率和扭矩，顯著提高了電動驅動的性能，并幫助整車實現3.9秒的100公里/小時加速。這也是比亞迪旗艦車型漢成為全球新能源汽車行業明星產品的“真正努力”之一！
自古道：“真人不露相，露相不真人”。
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