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比亞迪擬2023年電動車全面搭載SiC電控

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時間:1900/1/1 0:00:00

   12月10日,比亞迪在浙江寧波發布了IGBT4.0技術。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”,其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的“雙芯”,是影響電動車性能的關鍵技術,其成本占整車成本的5%左右。對于電動車而言,IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換,決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

『第三代半導體材料SiC』

  發布會現場,比亞迪還釋放了另一消息:企業已經成功研發了SiC MOSFET,有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年,比亞迪將在旗下的電動車中,實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代,將整車性能在現有基礎上再提升10%。

『比亞迪SiC晶圓』

  據悉,比亞迪已投入巨資布局第三代半導體材料SiC,并將整合材料、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產業鏈,致力于降低SiC器件的制造成本,加快其在電動車領域的應用。比亞迪第六事業部兼太陽能事業部總經理陳剛表示:“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續迭代更新的新一代'殺手锏',我們期望在加速、續航等性能指標上,為廣大消費者帶來更多驚喜。”

  作為中國電動車企代表之一,比亞迪自2015年至2017年,連續三年蟬聯全球新能源汽車銷量冠軍。今年前10月,比亞迪已經累計銷售16.3萬輛新能源乘用車,距離20萬輛年銷量目標僅一步之遙。

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