比亞迪發布IGBT“中國芯”，電動車核心技術告別“卡脖子”時代

12月10日，比亞迪在寧波發布IGBT4.0技術。

活動地點

比亞迪IGBT4.0晶圓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）全名為“絕緣柵雙極晶體管”，其芯片和動力電池也被稱為電動汽車的“雙核”，這是影響電動汽車性能的關鍵技術，其成本約占整車成本的5%。對于電動汽車，IGBT直接控制驅動系統中直流和交流的轉換，從而決定車輛的扭矩和最大輸出功率。作為中國第一家實現車用級IGBT大規模量產的汽車企業，也是唯一一家擁有完整IGBT產業鏈的汽車企業。比亞迪在本次大會上還宣布了另一個消息：比亞迪已投入巨資布局性能更好的第三代半導體材料SiC（碳化硅），預計將于2019年推出搭載SiC電子控制的電動汽車。預計到2023年，比亞迪的電動汽車將全面搭載碳化硅電子控制。比亞迪推出IGBT4.0，引領車載級功率半導體的發展。IGBT是一種汽車功率半導體。因其設計門檻高、制造技術難度大、投資大，被業內稱為電動汽車核心技術的“珠穆朗瑪峰”。此前，這項技術主要掌握在國際巨頭手中。“比亞迪憑借強大的研發實力、人才聚集和配套產業鏈，在汽車功率半導體領域取得了非常核心的突破。這個突破不是今天可以實現的，而是明天的投資。這是十多年積累的技術、人才和產業鏈。只有這樣才能實現。”周生明，中國半導體工業協會集成電路設計分會副會長在活動現場如是說。

IGBT的制造很困難。比亞迪在1200V汽車規格IGBT芯片的晶片厚度方面處于世界先進水平，可以減少到120um（大約兩根頭發的直徑）。經過10多年的技術積累，比亞迪IGBT得到了迭代更新。活動現場，中國電器工業協會電力電子分會秘書長魏紅旗，他表示：“比亞迪較早布局了其在電動汽車功率半導體領域的地位，并努力在電動汽車電源半導體領域創造領先地位。不必擔心在中國電動汽車的發展中停滯不前。“據了解，比亞迪推出的IGBT4.0在許多關鍵技術指標上優于當前市場的主流產品，如：1。電流輸出能力比當前市場主流IGBT高15%，支持車輛具有更強的加速能力和更大的功率輸出能力。2.在相同的工作條件下，與目前市場上主流的IGBT相比，綜合損耗降低了約20%。這意味著，當電流通過IGBT器件時，損耗降低，這使得整車的功耗顯著降低。以比亞迪的新一代唐為例。在其他條件不變的情況下，只有一項技術成功地將每100公里的功耗降低了約3%。3.溫度循環壽命可以是目前市場主流IGBT的10倍以上。這意味著比亞迪電動汽車在應對各種極端氣候和路況時可以具有更高的可靠性和更長的使用壽命。此前，比亞迪電動汽車憑借其優異的性能和穩定的可靠性，已經完成了世界上最嚴峻的自然環境的測試，從新疆吐魯番的高溫到北歐的極寒，再到青藏高原的高海拔，并成功經歷了各種氣候的測試，全球300多個市場的路況和駕駛習慣得到了廣泛認可。建立電動汽車性能的基準。在剛剛結束的2018廣州車展上，比亞迪新一代唐EV正式預售，預售當天訂單超過2000輛。歐陽明，中國科學院院士高增……

國家863重大項目“節能與新能源汽車”專家組組長Ces表示，比亞迪新一代唐“已經可以與世界上任何一家汽車公司的電動汽車技術相媲美，代表了目前電動汽車制造的最高水平”。從2015年到2017年，比亞迪的電動汽車銷量已經連續三年位居世界第一。這與比亞迪在IGBT等核心技術領域的先進布局密不可分。十多年前，王傳福布局了電動汽車的核心技術。作為2003年進入汽車行業的新玩家，比亞迪從一開始就高度重視IGBT等電動汽車核心技術的自主研發和創新。2005年，比亞迪成立了自己的研發團隊，并投入巨資布局IGBT產業。2009年9月，比亞迪IGBT芯片通過了中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定，打破了國際巨頭的技術壟斷。目前，比亞迪已掌握IGBT芯片的設計制造、模塊設計制造、大功率器件測試與應用平臺、電源與電子控制等，是國內唯一擁有完整IGBT產業鏈的汽車企業。

通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定，比亞迪IGBT芯片已提前布局。比亞迪想帶領電動汽車改革再次“馴服”IGBT，比亞迪已將目光轉向更遠的未來。根據比亞迪的預測，隨著電動汽車性能的不斷提高，對功率半導體元件提出了更高的要求，目前的IGBT也將接近硅材料的性能極限。尋找芯片損耗更低、電流輸出能力更強、耐高溫的新型半導體材料已成為學術界和工業界的普遍共識。據悉，比亞迪已在第三代半導體材料SiC的布局上投入巨資，將整合材料（高純碳化硅粉末）、單晶、外延、芯片和封裝等SiC基半導體的全產業鏈，努力降低SiC器件的制造成本，加快其在電動汽車領域的應用。

第三代半導體材料SiC

在比亞迪SiC晶圓發布會上，比亞迪宣布已成功開發出SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅的IGBT或MOSFET等），預計將于2019年推出搭載SiC電子控制的電動汽車。預計到2023年，比亞迪將在其電動汽車中用SiC基車用功率半導體完全取代硅基IGBT，并在現有基礎上將汽車性能提高10%。比亞迪第六事業部和太陽能事業部總經理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動汽車性能持續迭代更新的新一代‘殺手’。我們希望在加速和電池壽命等性能指標方面給消費者帶來更多驚喜。”隨著技術創新，中國的汽車工業將得到促進。過去很長一段時間，IGBT的核心技術始終掌握在外國制造商手中，90%的高端IGBT市場被國際巨頭壟斷，導致“一核難求”，成為制約中國電動汽車行業健康快速發展的主要瓶頸。根據全球三大電子元件分銷商之一Future Electronics LTD的統計，2018年，車載級IGBT模塊的最長交付周期已達到52周（通常IGBT的交付周期為8-12周）。2018年至2022年，全球電動汽車的年復合增長率達到30%，但同期車用級IGBT市場的年復合增速僅為15.7%。可以預見，未來幾年，全球汽車IGBT市場的供應將越來越緊張。得益于功率半導體等核心技術，比亞迪在全球……銷量排名第一……

電動汽車在過去三年中，推動了中國電動汽車行業的快速發展。正是在這三年里，中國的電動汽車生產和銷售繼續領先于世界，全球擁有率達到50%。12月10日，比亞迪在寧波發布IGBT4.0技術。

活動地點

比亞迪IGBT4.0晶圓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）全名為“絕緣柵雙極晶體管”，其芯片和動力電池也被稱為電動汽車的“雙核”，這是影響電動汽車性能的關鍵技術，其成本約占整車成本的5%。對于電動汽車，IGBT直接控制驅動系統中直流和交流的轉換，從而決定車輛的扭矩和最大輸出功率。作為中國第一家實現車用級IGBT大規模量產的汽車企業，也是唯一一家擁有完整IGBT產業鏈的汽車企業。比亞迪在本次大會上還宣布了另一個消息：比亞迪已投入巨資布局性能更好的第三代半導體材料SiC（碳化硅），預計將于2019年推出搭載SiC電子控制的電動汽車。預計到2023年，比亞迪的電動汽車將全面搭載碳化硅電子控制。比亞迪推出IGBT4.0，引領車載級功率半導體的發展。IGBT是一種汽車功率半導體。因其設計門檻高、制造技術難度大、投資大，被業內稱為電動汽車核心技術的“珠穆朗瑪峰”。此前，這項技術主要掌握在國際巨頭手中。“比亞迪憑借強大的研發實力、人才聚集和配套產業鏈，在汽車功率半導體領域取得了非常核心的突破。這個突破不是今天可以實現的，而是明天的投資。這是十多年積累的技術、人才和產業鏈。只有這樣才能實現。”周生明，中國半導體工業協會集成電路設計分會副會長在活動現場如是說。

IGBT的制造很困難。比亞迪在1200V汽車規格IGBT芯片的晶片厚度方面處于世界先進水平，可以減少到120um（大約兩根頭發的直徑）。經過10多年的技術積累，比亞迪IGBT得到了迭代更新。活動現場，中國電器工業協會電力電子分會秘書長魏紅旗，他表示：“比亞迪較早布局了其在電動汽車功率半導體領域的地位，并努力在電動汽車電源半導體領域創造領先地位。不必擔心在中國電動汽車的發展中停滯不前。“據了解，比亞迪推出的IGBT4.0在許多關鍵技術指標上優于當前市場的主流產品，如：1。電流輸出能力比當前市場主流IGBT高15%，支持車輛具有更強的加速能力和更大的功率輸出能力。2.在相同的工作條件下，與目前市場上主流的IGBT相比，綜合損耗降低了約20%。這意味著，當電流通過IGBT器件時，損耗降低，這使得整車的功耗顯著降低。以比亞迪的新一代唐為例。在其他條件不變的情況下，只有一項技術成功地將每100公里的功耗降低了約3%。3.溫度循環壽命可以是目前市場主流IGBT的10倍以上。這意味著比亞迪電動汽車在應對各種極端氣候和路況時可以具有更高的可靠性和更長的使用壽命。此前，比亞迪電動汽車憑借其優異的性能和穩定的可靠性，已經完成了世界上最嚴峻的自然環境的測試，從新疆吐魯番的高溫到北歐的極寒，再到青藏高原的高海拔，并成功經歷了各種氣候的測試，全球300多個市場的路況和駕駛習慣得到了廣泛認可。B……

ld是電動汽車性能的基準。在剛剛結束的2018廣州車展上，比亞迪新一代唐EV正式預售，預售當天訂單超過2000輛。中國科學院院士、國家863重大項目“節能與新能源汽車”專家組組長歐陽明高增評價稱，比亞迪新一代唐“已經可以與世界上任何一家車企的電動汽車技術相媲美，代表了目前電動汽車制造的最高水平”。從2015年到2017年，比亞迪的電動汽車銷量已經連續三年位居世界第一。這與比亞迪在IGBT等核心技術領域的先進布局密不可分。十多年前，王傳福布局了電動汽車的核心技術。作為2003年進入汽車行業的新玩家，比亞迪從一開始就高度重視IGBT等電動汽車核心技術的自主研發和創新。2005年，比亞迪成立了自己的研發團隊，并投入巨資布局IGBT產業。2009年9月，比亞迪IGBT芯片通過了中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定，打破了國際巨頭的技術壟斷。目前，比亞迪已掌握IGBT芯片的設計制造、模塊設計制造、大功率器件測試與應用平臺、電源與電子控制等，是國內唯一擁有完整IGBT產業鏈的汽車企業。

通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定，比亞迪IGBT芯片已提前布局。比亞迪想帶領電動汽車改革再次“馴服”IGBT，比亞迪已將目光轉向更遠的未來。根據比亞迪的預測，隨著電動汽車性能的不斷提高，對功率半導體元件提出了更高的要求，目前的IGBT也將接近硅材料的性能極限。尋找芯片損耗更低、電流輸出能力更強、耐高溫的新型半導體材料已成為學術界和工業界的普遍共識。據悉，比亞迪已在第三代半導體材料SiC的布局上投入巨資，將整合材料（高純碳化硅粉末）、單晶、外延、芯片和封裝等SiC基半導體的全產業鏈，努力降低SiC器件的制造成本，加快其在電動汽車領域的應用。

第三代半導體材料SiC

在比亞迪SiC晶圓發布會上，比亞迪宣布已成功開發出SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅的IGBT或MOSFET等），預計將于2019年推出搭載SiC電子控制的電動汽車。預計到2023年，比亞迪將在其電動汽車中用SiC基車用功率半導體完全取代硅基IGBT，并在現有基礎上將汽車性能提高10%。比亞迪第六事業部和太陽能事業部總經理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動汽車性能持續迭代更新的新一代‘殺手’。我們希望在加速和電池壽命等性能指標方面給消費者帶來更多驚喜。”隨著技術創新，中國的汽車工業將得到促進。過去很長一段時間，IGBT的核心技術始終掌握在外國制造商手中，90%的高端IGBT市場被國際巨頭壟斷，導致“一核難求”，成為制約中國電動汽車行業健康快速發展的主要瓶頸。根據全球三大電子元件分銷商之一Future Electronics LTD的統計，2018年，車載級IGBT模塊的最長交付周期已達到52周（通常IGBT的交付周期為8-12周）。2018年至2022年，全球電動汽車的年復合增長率達到30%，但車用IGBT的年復合增速……

同期ket僅為15.7%。可以預見，未來幾年，全球汽車IGBT市場的供應將越來越緊張。得益于功率半導體等核心技術，比亞迪在過去三年中位居全球電動汽車銷量第一，推動了中國電動汽車行業的快速發展。正是在這三年里，中國的電動汽車生產和銷售繼續領先于世界，全球擁有率達到50%。

標簽：比亞迪紅旗

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